Infineon 1 Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 3 A 50 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, HEXFET AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 222-4608
- Tillv. art.nr:
- AUIRF7103QTR
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 10 enheter)*
151,42 kr
(exkl. moms)
189,28 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
Sista RS lager
- Slutlig(a) 2 260 enhet(er), redo att levereras
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 15,142 kr | 151,42 kr |
| 100 - 240 | 14,392 kr | 143,92 kr |
| 250 - 490 | 13,787 kr | 137,87 kr |
| 500 - 990 | 13,171 kr | 131,71 kr |
| 1000 + | 12,275 kr | 122,75 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 222-4608
- Tillv. art.nr:
- AUIRF7103QTR
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 3A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 50V | |
| Kapseltyp | SO-8 | |
| Serie | HEXFET | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 130mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20 V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 10nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Transistorkonfiguration | Dubbel | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Bredd | 4 mm | |
| Längd | 5mm | |
| Höjd | 1.5mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Antal element per chip | 1 | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 3A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 50V | ||
Kapseltyp SO-8 | ||
Serie HEXFET | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 130mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20 V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 10nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Transistorkonfiguration Dubbel | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Bredd 4 mm | ||
Längd 5mm | ||
Höjd 1.5mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Antal element per chip 1 | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
The Infineon design of HEXFET® Power MOSFETs utilizes the latest processing techniques to achieve low on-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in Automotive and a wide variety of other applications.
Advanced Planar Technology
Dual N Channel MOSFET Low On-Resistance
Logic Level Gate Drive