Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 73 A 100 V Förbättring, 2 Ben, TO-263, HEXFET

Inte tillgänglig
RS kommer inte längre att lagerföra denna produkt.
RS-artikelnummer:
220-7497
Tillv. art.nr:
IRFS4610TRLPBF
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET och diod

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

73A

Maximal källspänning för dränering Vds

100V

Serie

HEXFET

Kapseltyp

TO-263

Fästetyp

Yta

Antal ben

2

Maximal drain-källresistans Rds

14mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

140nC

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Maximal effektförlust Pd

190W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

175°C

Bredd

4.83 mm

Längd

10.67mm

Höjd

9.65mm

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

The Infineon Strong IRFET power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.

Optimized for broadest availability from distribution partners

Product qualification according to JEDEC standard

Industry standard surface mount package

High-current rating

Wide availability from distribution partners

Industry standard qualification level

Standard pinout allows for drop in replacement

High current carrying capability