Infineon StrongIRFET Type N-Channel MOSFET & Diode, 363 A, 60 V Enhancement, 7-Pin TO-263 IRF60SC241ARMA1

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 2 enheter)*

81,67 kr

(exkl. moms)

102,088 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 1 370 enhet(er) från den 29 december 2025
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
2 - 1840,835 kr81,67 kr
20 - 4838,025 kr76,05 kr
50 - 9835,505 kr71,01 kr
100 - 19833,095 kr66,19 kr
200 +30,69 kr61,38 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
220-7472
Tillv. art.nr:
IRF60SC241ARMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET & Diode

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

363A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Series

StrongIRFET

Package Type

TO-263

Mount Type

Surface

Pin Count

7

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.95mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

311nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

2.4W

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

10.2mm

Standards/Approvals

No

Height

4.4mm

Width

9.45 mm

Automotive Standard

No

The Infineon latest 60 V Strong IRFET power MOSFET devices are optimized for both high current and low RDS(on) making them the ideal solution for high current battery powered applications.

Low RDS(on)

High current capability

Industry standard package

Flexible pinout

Optimized for 10 V gate drive

Reduction in conduction losses

Increased power density

Drop in replacement to existing devices

Offers design flexibility

Provides immunity to false turn-on in noisy environments

relaterade länkar