Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 100 A 40 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS 5 AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 220-7399
- Tillv. art.nr:
- IPC100N04S5L1R1ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
- RS-artikelnummer:
- 220-7399
- Tillv. art.nr:
- IPC100N04S5L1R1ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET och diod | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 100A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Kapseltyp | TDSON | |
| Serie | OptiMOS 5 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1.1mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 105nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.1V | |
| Maximal effektförlust Pd | 150W | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Längd | 5.25mm | |
| Höjd | 1.1mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET och diod | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 100A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Kapseltyp TDSON | ||
Serie OptiMOS 5 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1.1mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 105nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.1V | ||
Maximal effektförlust Pd 150W | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Längd 5.25mm | ||
Höjd 1.1mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
The Infineon offers a wide range of 20V-40V N-channel automotive qualified power MOSFETs using the new OptiMOS technology in a variety of packages to meet a range of needs and achieving RDS(on) down to 0.6mΩ.The new OptiMOS 6 and Optimos5 40V benchmark MOSFET technology enables low conduction losses (best in Class RDSon performance), low switching losses (improved switching behaviour), improved diode recovery and EMC behaviour. This MOSFET technology is used in the most advanced and innovative packages in order to reach the best product performances and quality. For ultimate design flexibility, automotive-qualified MOSFETs are available in a variety of packages to meet a range of needs. Infineon offer customers a steady stream of improvements in current capability, switching behaviour, reliability, package size and overall quality. The newly developed integrated half-bridge is an innovative and cost efficient package solution for motor drive and body applications.
OptiMOS™ - power MOSFET for automotive applications
N-channel - Enhancement mode - Logic Level
MSL1 up to 260°C peak reflow
175°C operating temperature
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal 100 A 40 V Förbättring TDSON, OptiMOS 5 AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal 90 A 40 V Förbättring TDSON, OptiMOS 5 AEC-Q101
- Infineon 2 Typ N Kanal Dubbel 20 A 100 V Förbättring TDSON, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal 137 A 60 V Förbättring TDSON, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal 16 A 300 V Förbättring TDSON, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal 100 A 100 V Förbättring TDSON, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal 70 A 40 V Förbättring TDSON, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal 205 A 40 V Förbättring TDSON, OptiMOS 5