Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 120 A 80 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS 3
- RS-artikelnummer:
- 220-7378
- Tillv. art.nr:
- IPB031N08N5ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 5 enheter)*
180,77 kr
(exkl. moms)
225,96 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 1 000 enhet(er) från den 19 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 36,154 kr | 180,77 kr |
| 25 - 45 | 30,374 kr | 151,87 kr |
| 50 - 120 | 28,582 kr | 142,91 kr |
| 125 - 245 | 26,388 kr | 131,94 kr |
| 250 + | 24,596 kr | 122,98 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 220-7378
- Tillv. art.nr:
- IPB031N08N5ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET och diod | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 120A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 80V | |
| Serie | OptiMOS 3 | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 3.1mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET och diod | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 120A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 80V | ||
Serie OptiMOS 3 | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 3.1mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon OptiMOS 5 80V industrial power MOSFET IPB031N08N5 offers a RDS(on) reduction of 43% compared to previous generations and is ideally suited for high switching frequencies. The devices of this family are especially designed for synchronous rectification in telecom and server power supplies. In addition, they can also be utilized in other industrial applications such as solar, low voltage drives and adapters.
Optimized for synchronous rectification
Ideal for high switching frequency
Output capacitance reduction of up to 44%
R DS(on) reduction of up to 44%
Highest system efficiency
Reduced switching and conduction losses
Less paralleling required
Increased power density
Low voltage overshoot