Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 180 A 80 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS 3

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 2 enheter)*

79,30 kr

(exkl. moms)

99,12 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 934 enhet(er) från den 16 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
2 - 1839,65 kr79,30 kr
20 - 4837,295 kr74,59 kr
50 - 9834,945 kr69,89 kr
100 - 19832,535 kr65,07 kr
200 +30,13 kr60,26 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
220-7376
Tillv. art.nr:
IPB019N08N3GATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET och diod

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

180A

Maximal källspänning för dränering Vds

80V

Kapseltyp

TO-263

Serie

OptiMOS 3

Fästetyp

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

1.9mΩ

Kanalläge

Förbättring

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

The Infineon OptiMOS is the market leader in highly efficient solutions for power generation (e.g. solar micro inverter), power supply (e.g. server and telecom) and power consumption (e.g. electric vehicle).

Optimized technology for DC-DC converters

Excellent gate charge x R DS(ON) product (FOM)

Superior thermal resistance

Dual sided cooling

Low parasitic inductance

Low profile (<0,7mm)

N-channel, normal level