Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 180 A 40 V Förbättring, 7 Ben, TO-263, OptiMOS 5
- RS-artikelnummer:
- 220-7371
- Tillv. art.nr:
- IPB011N04LGATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 rulle med 1000 enheter)*
14 515,00 kr
(exkl. moms)
18 144,00 kr
(inkl. moms)
Lagerinformation är för närvarande otillgänglig - kom tillbaka senare
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 1000 + | 14,515 kr | 14 515,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 220-7371
- Tillv. art.nr:
- IPB011N04LGATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET och diod | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 180A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Serie | OptiMOS 5 | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 7 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1.1mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET och diod | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 180A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Serie OptiMOS 5 | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 7 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1.1mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon OptiMOS 40V is a perfect choice for synchronous rectification in switched mode power supplies (SMPS) such as those found in servers and desktops. In addition these devices can be used for a broad range of industrial applications including motor control and fast switching DC-DC converter.
Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)
Very low on-resistance R DS(on)
Ideal for fast switching applications
RoHS compliant - halogen free
Highest system efficiency
Less paralleling required
Increased power density
System cost reduction
Very low voltage overshoot
