Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 6 A 950 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, CoolMOS P7
- RS-artikelnummer:
- 219-6004
- Tillv. art.nr:
- IPN95R1K2P7ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 rulle med 3000 enheter)*
13 104,00 kr
(exkl. moms)
16 380,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 03 juli 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | 4,368 kr | 13 104,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 219-6004
- Tillv. art.nr:
- IPN95R1K2P7ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 6A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 950V | |
| Kapseltyp | SOT-223 | |
| Serie | CoolMOS P7 | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 120mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 15nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.9V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20 V | |
| Maximal effektförlust Pd | 7W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 3.7 mm | |
| Längd | 6.7mm | |
| Höjd | 1.8mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 6A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 950V | ||
Kapseltyp SOT-223 | ||
Serie CoolMOS P7 | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 120mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 15nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.9V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20 V | ||
Maximal effektförlust Pd 7W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 3.7 mm | ||
Längd 6.7mm | ||
Höjd 1.8mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon designed to meet the growing consumer needs in the high voltage MOSFETs arena, the latest 950V CoolMOS™ P7 technology focuses on the low-power SMPS market. Offering 50V more blocking voltage than its predecessor 900V CoolMOS™ C3, the 950V CoolMOS™ P7 series delivers outstanding performance in terms of efficiency, thermal behaviour and ease-of-use. As the all other P7 family members, the 950V CoolMOS™ P7 series comes with an integrated Zener diode ESD protection. The integrated diode considerably improves ESD robustness, thus reducing ESD-related yield loss and reaching exceptional ease-of-use levels. CoolMOS™ P7 is developed with best-in-class VGS(th) of 3V and a narrow tolerance of only ± 0.5V, which makes it easy to drive and design-in.
Best-in-class VGS(th) of 3V and smallest VGS(th) variation of ±0.5V
Integrated Zener diode ESD protection up to Class 2 (HBM)
Best-in-class quality and reliability
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal 8 A 800 V Förbättring SOT-223, CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal 12.5 A 700 V Förbättring SOT-223, 700V CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal 4 A 800 V Förbättring SOT-223, 800V CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal 4 A 950 V Förbättring TO-252, CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal 4 A 950 V Förbättring TO-251, CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal 2 A 950 V Förbättring TO-251, CoolMOS P7 SJ
- Infineon Typ N Kanal 1.9 A 800 V Förbättring SOT-223, CoolMOS
- Infineon Typ N Kanal 3 A 700 V Förbättring SOT-223, CoolMOS