Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 1.5 A 800 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, CoolMOS P7
- RS-artikelnummer:
- 219-5997
- Tillv. art.nr:
- IPN80R4K5P7ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 25 enheter)*
140,675 kr
(exkl. moms)
175,85 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- 4 600 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 25 - 100 | 5,627 kr | 140,68 kr |
| 125 - 225 | 5,349 kr | 133,73 kr |
| 250 - 600 | 5,125 kr | 128,13 kr |
| 625 - 1225 | 4,897 kr | 122,43 kr |
| 1250 + | 3,942 kr | 98,55 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 219-5997
- Tillv. art.nr:
- IPN80R4K5P7ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 1.5A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 800V | |
| Kapseltyp | SOT-223 | |
| Serie | CoolMOS P7 | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 450mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20 V | |
| Maximal effektförlust Pd | 6W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 4nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.9V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 6.7mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 1.8mm | |
| Bredd | 3.7 mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 1.5A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 800V | ||
Kapseltyp SOT-223 | ||
Serie CoolMOS P7 | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 450mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20 V | ||
Maximal effektförlust Pd 6W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 4nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.9V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 6.7mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 1.8mm | ||
Bredd 3.7 mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon 800V CoolMOS P7 superjunction MOSFET series is a perfect fit for low power SMPS applications by fully addressing market needs in performance, ease-of-use and price/performance ratio. It mainly focuses on flyback applications including adapter and charger, LED driver, audio SMPS, AUX and industrial power. This new product family offers up to 0.6% efficiency gain and 2°C to 8°C lower MOSFET temperature compared to its predecessor as well as to competitor parts tested in typical flyback applications. It also enables higher power density designs through lower switching losses and better DPAK R DS(on) products. Overall, it helps customers save BOM cost and reduce assembly effort.
Easy to drive and to design-in
Better production yield by reducing ESD related failures
Less production issues and reduced field returns
Easy to select right parts for fine tuning of designs