Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 6 A 950 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS P7

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 rör med 50 enheter)*

483,15 kr

(exkl. moms)

603,95 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 100 enhet(er) från den 16 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rör*
50 - 509,663 kr483,15 kr
100 - 2007,73 kr386,50 kr
250 - 4507,246 kr362,30 kr
500 - 9506,668 kr333,40 kr
1000 +6,185 kr309,25 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
219-5990
Tillv. art.nr:
IPA95R1K2P7XKSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

6A

Maximal källspänning för dränering Vds

950V

Serie

CoolMOS P7

Kapseltyp

TO-220

Fästetyp

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

120mΩ

Kanalläge

Förbättring

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

The Infineon designed to meet the growing consumer needs in the high voltage MOSFETs arena, the latest 950V CoolMOS™ P7 technology focuses on the low-power SMPS market. Offering 50V more blocking voltage than its predecessor 900V CoolMOS™ C3, the 950V CoolMOS™ P7 series delivers outstanding performance in terms of efficiency, thermal behaviour and ease-of-use. As the all other P7 family members, the 950V CoolMOS™ P7 series comes with an integrated Zener diode ESD protection. The integrated diode considerably improves ESD robustness, thus reducing ESD-related yield loss and reaching exceptional ease-of-use levels. CoolMOS™ P7 is developed with best-in-class VGS(th) of 3V and a narrow tolerance of only ± 0.5V, which makes it easy to drive and design-in.

Best-in-class VGS(th) of 3V and smallest VGS(th) variation of ±0.5V

Integrated Zener diode ESD protection up to Class 2 (HBM)

Best-in-class quality and reliability