Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 23 A 30 V, 3 Ben, TO-252, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 218-3128
- Tillv. art.nr:
- IRLR2703TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 25 enheter)*
146,60 kr
(exkl. moms)
183,25 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
Tillfälligt slut
- 4 000 enhet(er) levereras från den 19 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 25 - 100 | 5,864 kr | 146,60 kr |
| 125 - 225 | 5,569 kr | 139,23 kr |
| 250 - 600 | 5,34 kr | 133,50 kr |
| 625 - 1225 | 5,103 kr | 127,58 kr |
| 1250 + | 4,753 kr | 118,83 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 218-3128
- Tillv. art.nr:
- IRLR2703TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 23A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Serie | HEXFET | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 65mΩ | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Maximal effektförlust Pd | 341W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20 V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 162nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Längd | 15.87mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 20.7mm | |
| Bredd | 5.31 mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 23A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Serie HEXFET | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 65mΩ | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Maximal effektförlust Pd 341W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20 V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 162nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Längd 15.87mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 20.7mm | ||
Bredd 5.31 mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon HEXFET series N-channel power MOSFET. It utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area. This MOSFET is designed for surface mounting using vapour phase, infrared, or wave soldering techniques.
Ultra Low On-Resistance
Fast Switching
Fully Avalanche Rated
Lead free