Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 23 A, 30 V TO-252

Se alla MOSFETs

Antal (1 rulle med 2000 enheter)*

4 510,00 kr

(exkl. moms)

5 638,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • 4 000 enhet(er) levereras från den 19 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
2000 +2,255 kr4 510,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
218-3127
Tillv. art.nr:
IRLR2703TRPBF
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

23A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

TO-252

Series

HEXFET

Mount Type

Surface

Maximum Drain Source Resistance Rds

65mΩ

Maximum Power Dissipation Pd

341W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

162nC

Forward Voltage Vf

1.3V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Height

20.7mm

Standards/Approvals

No

Width

5.31 mm

Length

15.87mm

Automotive Standard

No

The Infineon HEXFET series N-channel power MOSFET. It utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area. This MOSFET is designed for surface mounting using vapour phase, infrared, or wave soldering techniques.

Ultra Low On-Resistance

Fast Switching

Fully Avalanche Rated

Lead free

relaterade länkar