Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 269 A 75 V Förbättring, 7 Ben, TO-263, HEXFET

Antal (1 rulle med 800 enheter)*

11 818,40 kr

(exkl. moms)

14 772,80 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 800 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
800 +14,773 kr11 818,40 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
218-3123
Tillv. art.nr:
IRFS7730TRL7PP
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

269A

Maximal källspänning för dränering Vds

75V

Kapseltyp

TO-263

Serie

HEXFET

Fästetyp

Yta

Antal ben

7

Maximal drain-källresistans Rds

2mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

428nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

375W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Längd

10.67mm

Standarder/godkännanden

No

Höjd

9.65mm

Bredd

4.83 mm

Fordonsstandard

Nej

The Infineon HEXFET series single N-Channel Power MOSFET. Integrated with D2PAK 7pin (TO-263 7pin) type package.

Lead-free, RoHS compliant