Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 128 A 75 V, 3 Ben, TO-263, HEXFET

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 förpackning med 10 enheter)*

186,01 kr

(exkl. moms)

232,51 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 2 370 enhet(er) från den 09 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
10 +18,601 kr186,01 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
218-3118
Tillv. art.nr:
IRFS3307ZTRRPBF
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

128A

Maximal källspänning för dränering Vds

75V

Kapseltyp

TO-263

Serie

HEXFET

Fästetyp

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

5.8mΩ

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

110nC

Maximal effektförlust Pd

230W

Maximal arbetstemperatur

175°C

Bredd

4.83 mm

Standarder/godkännanden

No

Längd

10.67mm

Höjd

9.65mm

Fordonsstandard

Nej

The Infineon HEXFET series single N-Channel Power MOSFET integrated with D2PAK (TO-263) type package.

Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA

Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability

Relaterade länkar