Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 128 A, 75 V, 3-Pin TO-263 IRFS3307ZTRRPBF

Antal (1 förpackning med 10 enheter)*

186,01 kr

(exkl. moms)

232,51 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 2 370 enhet(er) från den 29 december 2025
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
10 +18,601 kr186,01 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
218-3118
Tillv. art.nr:
IRFS3307ZTRRPBF
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

128A

Maximum Drain Source Voltage Vds

75V

Package Type

TO-263

Series

HEXFET

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

5.8mΩ

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

230W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

110nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Width

4.83 mm

Height

9.65mm

Length

10.67mm

Automotive Standard

No

The Infineon HEXFET series single N-Channel Power MOSFET integrated with D2PAK (TO-263) type package.

Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA

Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability

relaterade länkar