Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 128 A 75 V, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 218-3117
- Tillv. art.nr:
- IRFS3307ZTRRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 rulle med 800 enheter)*
10 236,00 kr
(exkl. moms)
12 795,20 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- 1 600 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 800 - 800 | 12,795 kr | 10 236,00 kr |
| 1600 + | 12,155 kr | 9 724,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 218-3117
- Tillv. art.nr:
- IRFS3307ZTRRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 128A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 75V | |
| Serie | HEXFET | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 5.8mΩ | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20 V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 110nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 230W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Bredd | 4.83 mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 10.67mm | |
| Höjd | 9.65mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 128A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 75V | ||
Serie HEXFET | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 5.8mΩ | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20 V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 110nC | ||
Maximal effektförlust Pd 230W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Bredd 4.83 mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 10.67mm | ||
Höjd 9.65mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon HEXFET series single N-Channel Power MOSFET integrated with D2PAK (TO-263) type package.
Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA
Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability