Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 31 A, 100 V Enhancement TO-252 IRFR3410TRLPBF

Se alla MOSFETs

Antal (1 förpackning med 20 enheter)*

148,56 kr

(exkl. moms)

185,70 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 17 700 enhet(er) från den 19 januari 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
20 +7,428 kr148,56 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
218-3106
Distrelec artikelnummer:
304-39-421
Tillv. art.nr:
IRFR3410TRLPBF
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

31A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

HEXFET

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Maximum Drain Source Resistance Rds

31Ω

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

56nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

110W

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Length

6.73mm

Height

6.22mm

Width

2.39 mm

Automotive Standard

No

The Infineon HEXFET series single N-Channel power MOSFET integrated with DPAK (TO-252) type package. This MOSFET is mainly used in high frequency DC-DC converters.

RoHS Compliant

175°C Operating Temperature

Fast switching

relaterade länkar