Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 31 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 218-3106
- Distrelec artikelnummer:
- 304-39-421
- Tillv. art.nr:
- IRFR3410TRLPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 förpackning med 20 enheter)*
148,56 kr
(exkl. moms)
185,70 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- 17 700 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 20 + | 7,428 kr | 148,56 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 218-3106
- Distrelec artikelnummer:
- 304-39-421
- Tillv. art.nr:
- IRFR3410TRLPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 31A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Serie | HEXFET | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 31Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20 V | |
| Maximal effektförlust Pd | 110W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 56nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Bredd | 2.39 mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 6.22mm | |
| Längd | 6.73mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 31A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Serie HEXFET | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 31Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20 V | ||
Maximal effektförlust Pd 110W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 56nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Bredd 2.39 mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 6.22mm | ||
Längd 6.73mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon HEXFET series single N-Channel power MOSFET integrated with DPAK (TO-252) type package. This MOSFET is mainly used in high frequency DC-DC converters.
RoHS Compliant
175°C Operating Temperature
Fast switching