Infineon 600V CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET, 18 A, 600 V, 3-Pin TO-247 IPW60R180P7XKSA1

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

163,93 kr

(exkl. moms)

204,91 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • 240 enhet(er) levereras från den 12 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 - 2032,786 kr163,93 kr
25 - 4528,828 kr144,14 kr
50 - 12026,902 kr134,51 kr
125 - 24525,244 kr126,22 kr
250 +23,274 kr116,37 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
218-3087
Tillv. art.nr:
IPW60R180P7XKSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

18A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Series

600V CoolMOS P7

Package Type

TO-247

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

180mΩ

Forward Voltage Vf

0.9V

Maximum Power Dissipation Pd

72W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

25nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

5.21 mm

Height

21.1mm

Standards/Approvals

No

Length

16.13mm

Automotive Standard

No

The Infineon 600V CoolMOS™ series N-channel power MOSFET. The 600V CoolMOS™ P7 super junction (SJ) MOSFET is the successor to the 600V CoolMOS™ P6 series. It continues to balance the need for high efficiency against the ease-of-use in the design process.

Suitable for hard and soft switching (PFC and LLC) due to an outstanding commutation ruggedness

Significant reduction of switching and conduction losses

Excellent ESD robustness >2kV (HBM) for all products

relaterade länkar