Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 8.5 A 700 V N, 3 Ben, TO-220, 700V CoolMOS P7
- RS-artikelnummer:
- 218-3013
- Tillv. art.nr:
- IPA70R600P7SXKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 20 enheter)*
90,94 kr
(exkl. moms)
113,68 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- 120 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | 4,547 kr | 90,94 kr |
| 100 - 180 | 4,323 kr | 86,46 kr |
| 200 - 480 | 4,229 kr | 84,58 kr |
| 500 - 980 | 3,956 kr | 79,12 kr |
| 1000 + | 3,687 kr | 73,74 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 218-3013
- Tillv. art.nr:
- IPA70R600P7SXKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 8.5A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 700V | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Serie | 700V CoolMOS P7 | |
| Fästetyp | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 600mΩ | |
| Kanalläge | N | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 8.5A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 700V | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Serie 700V CoolMOS P7 | ||
Fästetyp Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 600mΩ | ||
Kanalläge N | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon 700V CoolMOS™ P7 series N-channel power MOSFET. This CoolMOS™ P7 is an optimized platform tailored to target cost sensitive applications in consumer markets such as charger, adapter, lighting, TV, etc. The technology meets highest efficiency standards and supports high power density, enabling customers going towards very slim designs.
Excellent thermal behaviour
Integrated ESD protection diode
Low switching losses (Eoss)