Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 46 A 60 V N, 8 Ben, TSDSON, OptiMOS
- RS-artikelnummer:
- 218-2986
- Tillv. art.nr:
- BSZ099N06LS5ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 förpackning med 20 enheter)*
129,02 kr
(exkl. moms)
161,28 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- 4 840 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 20 + | 6,451 kr | 129,02 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 218-2986
- Tillv. art.nr:
- BSZ099N06LS5ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 46A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | TSDSON | |
| Serie | OptiMOS | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 9.9mΩ | |
| Kanalläge | N | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20 V | |
| Maximal effektförlust Pd | 36W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 6.9nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.1V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 3.4mm | |
| Höjd | 1.1mm | |
| Bredd | 3.4 mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 46A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp TSDSON | ||
Serie OptiMOS | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 9.9mΩ | ||
Kanalläge N | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20 V | ||
Maximal effektförlust Pd 36W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 6.9nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.1V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 3.4mm | ||
Höjd 1.1mm | ||
Bredd 3.4 mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon OptiMOS™ series N-channel power MOSFET. It is highly suitable for wireless charging, adapter and telecom applications. The devices low gate charge (Q g) reduces switching losses without compromising conduction losses.
100% avalanche tested
Superior thermal resistance
Pb-free lead plating