Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 190 A 100 V, 7 Ben, TO-263, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 217-2642
- Tillv. art.nr:
- IRLS4030TRL7PP
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 5 enheter)*
224,56 kr
(exkl. moms)
280,70 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
Sista RS lager
- Slutlig(a) 15 enhet(er), redo att levereras
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | 44,912 kr | 224,56 kr |
| 10 - 20 | 40,432 kr | 202,16 kr |
| 25 - 45 | 38,17 kr | 190,85 kr |
| 50 - 120 | 35,482 kr | 177,41 kr |
| 125 + | 32,772 kr | 163,86 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 217-2642
- Tillv. art.nr:
- IRLS4030TRL7PP
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 190A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 7 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 4.1mΩ | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 140nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 370W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 16 V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Bredd | 4.55 mm | |
| Längd | 10.35mm | |
| Höjd | 15.3mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 190A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 7 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 4.1mΩ | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 140nC | ||
Maximal effektförlust Pd 370W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 16 V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Bredd 4.55 mm | ||
Längd 10.35mm | ||
Höjd 15.3mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon 100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 7-Pin D2-Pak package.
Optimized for Logic Level Drive
Very Low RDS(ON) at 4.5V VGS
Superior R*Q at 4.5V VGS I
improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness
Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA
Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability
Lead-Free