Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 170 A 75 V, 3 Ben, TO-263, HEXFET

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

239,23 kr

(exkl. moms)

299,04 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 12 juni 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 - 2047,846 kr239,23 kr
25 - 4540,186 kr200,93 kr
50 - 12037,788 kr188,94 kr
125 - 24535,392 kr176,96 kr
250 +32,548 kr162,74 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
217-2632
Tillv. art.nr:
IRFS3207ZTRRPBF
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

170A

Maximal källspänning för dränering Vds

75V

Serie

HEXFET

Kapseltyp

TO-263

Fästetyp

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

4.1mΩ

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Maximal effektförlust Pd

300W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

170nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

175°C

Bredd

4.83 mm

Höjd

9.65mm

Längd

10.67mm

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

The Infineon 75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package.

Improved Gate, Avalanche and Dynamic dv/dt Ruggedness

Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA

Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability

Lead-Free

RoHS Compliant, Halogen-Free

Relaterade länkar