Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 170 A 75 V, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 217-2632
- Tillv. art.nr:
- IRFS3207ZTRRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 5 enheter)*
239,23 kr
(exkl. moms)
299,04 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 12 juni 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 47,846 kr | 239,23 kr |
| 25 - 45 | 40,186 kr | 200,93 kr |
| 50 - 120 | 37,788 kr | 188,94 kr |
| 125 - 245 | 35,392 kr | 176,96 kr |
| 250 + | 32,548 kr | 162,74 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 217-2632
- Tillv. art.nr:
- IRFS3207ZTRRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 170A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 75V | |
| Serie | HEXFET | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 4.1mΩ | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20 V | |
| Maximal effektförlust Pd | 300W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 170nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Bredd | 4.83 mm | |
| Höjd | 9.65mm | |
| Längd | 10.67mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 170A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 75V | ||
Serie HEXFET | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 4.1mΩ | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20 V | ||
Maximal effektförlust Pd 300W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 170nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Bredd 4.83 mm | ||
Höjd 9.65mm | ||
Längd 10.67mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon 75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package.
Improved Gate, Avalanche and Dynamic dv/dt Ruggedness
Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA
Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability
Lead-Free
RoHS Compliant, Halogen-Free
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal 80 A 75 V HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 75 A 75 V Förbättring TO-263, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 82 A 75 V TO-263, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 170 A 75 V TO-252, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 100 A 75 V Förbättring TO-263, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 183 A 75 V Förbättring TO-263, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 128 A 75 V Förbättring TO-263, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 62 A 75 V Förbättring TO-263, HEXFET
