Infineon 2 Typ N Kanal Dubbel N-kanalig Mosfet, MOSFET, 5.1 A 55 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 217-2603
- Tillv. art.nr:
- IRF7341GTRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 10 enheter)*
125,66 kr
(exkl. moms)
157,08 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- 20 enhet(er) är redo att levereras från en annan plats
- Dessutom levereras 5 860 enhet(er) från den 20 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 12,566 kr | 125,66 kr |
| 50 - 90 | 11,939 kr | 119,39 kr |
| 100 - 240 | 11,435 kr | 114,35 kr |
| 250 - 490 | 10,931 kr | 109,31 kr |
| 500 + | 10,17 kr | 101,70 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 217-2603
- Tillv. art.nr:
- IRF7341GTRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 5.1A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 55V | |
| Kapseltyp | SO-8 | |
| Serie | HEXFET | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 65mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20 V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 29nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 2.4W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Transistorkonfiguration | Dubbel N-kanalig Mosfet | |
| Bredd | 4 mm | |
| Höjd | 1.5mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 5mm | |
| Antal element per chip | 2 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 5.1A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 55V | ||
Kapseltyp SO-8 | ||
Serie HEXFET | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 65mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20 V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 29nC | ||
Maximal effektförlust Pd 2.4W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Transistorkonfiguration Dubbel N-kanalig Mosfet | ||
Bredd 4 mm | ||
Höjd 1.5mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 5mm | ||
Antal element per chip 2 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon HEXFET ® Power MOSFET’s in a Dual SO-8 package utilize the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of these HEXFET Power MOSFET’s are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating. These benefits combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of other applications. The 175°C rating for the SO-8 package provides improved thermal performance with increased safe operating area and dual MOSFET die capability make it ideal in a variety of power applications. This dual, surface mount SO-8 can dramatically reduce board space and is also available in Tape & Reel.
Advanced Process Technology
Dual N-Channel MOSFET
Ultra Low On-Resistance
175°C Operating Temperature
Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax
Lead-Free