Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 12.5 A 700 V Förbättring, 3 Ben, TO-251, CoolMOS P7 AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 217-2580
- Tillv. art.nr:
- IPS70R360P7SAKMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 rör med 75 enheter)*
326,70 kr
(exkl. moms)
408,375 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
Sista RS lager
- Slutlig(a) 150 enhet(er), redo att levereras
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 75 - 75 | 4,356 kr | 326,70 kr |
| 150 - 300 | 4,238 kr | 317,85 kr |
| 375 - 675 | 4,128 kr | 309,60 kr |
| 750 - 1800 | 4,022 kr | 301,65 kr |
| 1875 + | 3,921 kr | 294,08 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 217-2580
- Tillv. art.nr:
- IPS70R360P7SAKMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 12.5A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 700V | |
| Kapseltyp | TO-251 | |
| Serie | CoolMOS P7 | |
| Fästetyp | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 360mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 16.4nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.9V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20 V | |
| Maximal effektförlust Pd | 53W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 9.82mm | |
| Längd | 6.73mm | |
| Bredd | 2.4 mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 12.5A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 700V | ||
Kapseltyp TO-251 | ||
Serie CoolMOS P7 | ||
Fästetyp Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 360mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 16.4nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.9V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20 V | ||
Maximal effektförlust Pd 53W | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 9.82mm | ||
Längd 6.73mm | ||
Bredd 2.4 mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
The Infineon CoolMOS is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the super junction(SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. The latest CoolMOS™ P7 is an optimized platform tailored to target cost sensitive applications in consumer markets such as charger, adapter, lighting, TV etc. The new series provides all the benefits of a fast switching Super junction MOSFET, combined with an excellent price/performance ratio and state of the art ease-of-use level. The technology meets highest efficiency standards and supports high power density, enabling customers going towards very slim designs.
Extremely low losses due to very low FOMRDS(on)*Qg and RDS(on)*Eoss
Excellent thermal behaviour
Integrated ESD protection diode
Low switching losses(Eoss)
Product validation acc. JEDEC Standard