Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 4 A 700 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, IPN
- RS-artikelnummer:
- 217-2546
- Tillv. art.nr:
- IPN70R1K4P7SATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 50 enheter)*
252,00 kr
(exkl. moms)
315,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 3 000 enhet(er) från den 16 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 5,04 kr | 252,00 kr |
| 100 - 200 | 3,882 kr | 194,10 kr |
| 250 - 450 | 3,629 kr | 181,45 kr |
| 500 - 1200 | 3,376 kr | 168,80 kr |
| 1250 + | 3,127 kr | 156,35 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 217-2546
- Tillv. art.nr:
- IPN70R1K4P7SATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 4A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 700V | |
| Serie | IPN | |
| Kapseltyp | SOT-223 | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1.4Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.9V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 4.7nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 30 V | |
| Maximal effektförlust Pd | 6.2W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 1.8mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 3.7 mm | |
| Längd | 6.7mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 4A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 700V | ||
Serie IPN | ||
Kapseltyp SOT-223 | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1.4Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.9V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 4.7nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 30 V | ||
Maximal effektförlust Pd 6.2W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 1.8mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 3.7 mm | ||
Längd 6.7mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon CoolMOS™ P7 superjunction (SJ) MOSFET is designed to address typical challenges in the low power SMPS market, by offering excellent performance and ease-of-use, enabling improved form factors and price competitiveness. The SOT-223 package is a cost effective one-to-one drop-in alternative to DPAK that also enables footprint reduction in some designs. It can be placed on a typical DPAK footprint and shows comparable thermal performance. This combination makes CoolMOS™ P7 in SOT-223 a perfect fit for its target applications.
Best-fit performance superjunction technology
Cost-effective package solution
Best-in-class price/performance ratio