Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 4 A 700 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, IPN

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

5 847,00 kr

(exkl. moms)

7 308,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • 3 000 enhet(er) levereras från den 19 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
3000 - 30001,949 kr5 847,00 kr
6000 +1,851 kr5 553,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
217-2544
Tillv. art.nr:
IPN70R1K4P7SATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

4A

Maximal källspänning för dränering Vds

700V

Kapseltyp

SOT-223

Serie

IPN

Fästetyp

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

1.4Ω

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

4.7nC

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal effektförlust Pd

6.2W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

30 V

Framåtriktad spänning Vf

0.9V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Höjd

1.8mm

Bredd

3.7 mm

Längd

6.7mm

Fordonsstandard

Nej

The Infineon CoolMOS™ P7 superjunction (SJ) MOSFET is designed to address typical challenges in the low power SMPS market, by offering excellent performance and ease-of-use, enabling improved form factors and price competitiveness. The SOT-223 package is a cost effective one-to-one drop-in alternative to DPAK that also enables footprint reduction in some designs. It can be placed on a typical DPAK footprint and shows comparable thermal performance. This combination makes CoolMOS™ P7 in SOT-223 a perfect fit for its target applications.

Best-fit performance superjunction technology

Cost-effective package solution

Best-in-class price/performance ratio