Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 9 A 600 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, IPN
- RS-artikelnummer:
- 217-2543
- Tillv. art.nr:
- IPN60R360P7SATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 20 enheter)*
128,28 kr
(exkl. moms)
160,36 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- 5 720 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | 6,414 kr | 128,28 kr |
| 100 - 180 | 5,125 kr | 102,50 kr |
| 200 - 480 | 4,811 kr | 96,22 kr |
| 500 - 980 | 4,49 kr | 89,80 kr |
| 1000 + | 4,169 kr | 83,38 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 217-2543
- Tillv. art.nr:
- IPN60R360P7SATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 9A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 600V | |
| Kapseltyp | SOT-223 | |
| Serie | IPN | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 360mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 36nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 111W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20 V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.9V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 1.1mm | |
| Längd | 8.8mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 8.8 mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 9A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 600V | ||
Kapseltyp SOT-223 | ||
Serie IPN | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 360mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 36nC | ||
Maximal effektförlust Pd 111W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20 V | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.9V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 1.1mm | ||
Längd 8.8mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 8.8 mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon CoolMOS™ P7 superjunction (SJ) MOSFET is designed to address typical challenges in the low power SMPS market, by offering excellent performance and ease-of-use, enabling improved form factors and price competitiveness. The SOT-223 package is a cost effective one-to-one drop-in alternative to DPAK that also enables footprint reduction in some designs. It can be placed on a typical DPAK footprint and shows comparable thermal performance. This combination makes CoolMOS™ P7 in SOT-223 a perfect fit for its target applications.
Best-fit performance superjunction technology
Cost-effective package solution
Best-in-class price/performance ratio