Infineon IPD Type N-Channel MOSFET, 14 A, 950 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD95R450P7ATMA1

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 10 enheter)*

204,88 kr

(exkl. moms)

256,10 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 1 640 enhet(er) från den 19 januari 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
10 - 1020,488 kr204,88 kr
20 - 4019,466 kr194,66 kr
50 - 9019,051 kr190,51 kr
100 - 24017,83 kr178,30 kr
250 +16,598 kr165,98 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
217-2536
Tillv. art.nr:
IPD95R450P7ATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

14A

Maximum Drain Source Voltage Vds

950V

Package Type

TO-252

Series

IPD

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

450mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

0.9V

Maximum Power Dissipation Pd

104W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

35nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

6.73mm

Height

2.41mm

Standards/Approvals

No

Width

6.22 mm

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon latest 950V CoolMOS™ P7 series sets a new bench mark in 950V super junction technologies and combines best-in-class performance with state of the art ease-of-use, resulting from Infineon’s over 18 years pioneering super junction technology innovation.

Best-in-class FOM RDS(on) Eoss; reduced Qg, Ciss and CossBest-in-class DPAK RDS(on) of 450 mΩ

Best-in-class VGS(th) of 3V and smallest VGS(th) variation of ±0.5V

Integrated Zener diode ESD protection up to Class 2 (HBM)

Best-in-class quality and reliability

relaterade länkar