Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 14 A 950 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, IPD AEC-Q101

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 10 enheter)*

204,88 kr

(exkl. moms)

256,10 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 1 620 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
10 - 1020,488 kr204,88 kr
20 - 4019,466 kr194,66 kr
50 - 9019,051 kr190,51 kr
100 - 24017,83 kr178,30 kr
250 +16,598 kr165,98 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
217-2536
Tillv. art.nr:
IPD95R450P7ATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

14A

Maximal källspänning för dränering Vds

950V

Kapseltyp

TO-252

Serie

IPD

Fästetyp

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

450mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

35nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

104W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Framåtriktad spänning Vf

0.9V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Höjd

2.41mm

Standarder/godkännanden

No

Bredd

6.22 mm

Längd

6.73mm

Fordonsstandard

AEC-Q101

The Infineon latest 950V CoolMOS™ P7 series sets a new bench mark in 950V super junction technologies and combines best-in-class performance with state of the art ease-of-use, resulting from Infineon’s over 18 years pioneering super junction technology innovation.

Best-in-class FOM RDS(on) Eoss; reduced Qg, Ciss and CossBest-in-class DPAK RDS(on) of 450 mΩ

Best-in-class VGS(th) of 3V and smallest VGS(th) variation of ±0.5V

Integrated Zener diode ESD protection up to Class 2 (HBM)

Best-in-class quality and reliability