Infineon IPD Type N-Channel MOSFET, 2 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD80R2K7C3AATMA1

Se alla MOSFETs

Antal (1 förpackning med 20 enheter)*

187,54 kr

(exkl. moms)

234,42 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 4 620 enhet(er) från den 26 december 2025
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
20 +9,377 kr187,54 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
217-2532
Tillv. art.nr:
IPD80R2K7C3AATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

2A

Maximum Drain Source Voltage Vds

800V

Series

IPD

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

2.7Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

42W

Minimum Operating Temperature

-40°C

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

12nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

6.73mm

Standards/Approvals

No

Width

6.22 mm

Height

2.41mm

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon CoolMOS™ C3A technology was designed to meet the growing demands of higher system voltages in the area of electric vehicles, such as PHEVs and BEV.

Best-in-class quality and reliability

Higher breakdown voltage

High peak current capability

Automotive AEC Q101 qualified

Green package (RoHS compliant)

relaterade länkar