Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET, 80 A, 40 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB80N04S2H4ATMA2

Se alla MOSFETs

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

137,62 kr

(exkl. moms)

172,025 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 6 965 enhet(er) från den 29 december 2025
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 +27,524 kr137,62 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
217-2510
Tillv. art.nr:
IPB80N04S2H4ATMA2
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

80A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Package Type

TO-263

Series

CoolMOS

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

3.7mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

129W

Forward Voltage Vf

0.9V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

51nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Width

9.45 mm

Length

10.31mm

Height

4.57mm

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon 40V, N-Ch, 3.7 mΩ max, Automotive MOSFET, D2PAK, OptiMO.

N-channel - Enhancement mode

Automotive AEC Q101 qualified

MSL1 up to 260°C peak reflow

175°C operating temperature

Ultra low Rds(on)

100% Avalanche tested

Green product (RoHS compliant)

relaterade länkar