Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET, 70 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB70N10S312ATMA1

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 10 enheter)*

237,89 kr

(exkl. moms)

297,36 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 620 enhet(er) från den 29 december 2025
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
10 - 4023,789 kr237,89 kr
50 - 9022,602 kr226,02 kr
100 - 24021,65 kr216,50 kr
250 - 49020,698 kr206,98 kr
500 +19,275 kr192,75 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
217-2508
Tillv. art.nr:
IPB70N10S312ATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

70A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

TO-263

Series

CoolMOS

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

11.3mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

129W

Forward Voltage Vf

0.9V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

51nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

10.31mm

Height

4.57mm

Width

9.45 mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon 100V, N-Ch, 11.3 mΩ max, Automotive MOSFET, D2PAK, OptiMOS™-T.

N-channel - Enhancement mode

Automotive AEC Q101 qualified

MSL1 up to 260°C peak reflow

175°C operating temperature

Green product (RoHS compliant)

100% Avalanche tested

relaterade länkar