Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 24 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, CoolMOS
- RS-artikelnummer:
- 217-2506
- Tillv. art.nr:
- IPB65R095C7ATMA2
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 5 enheter)*
245,95 kr
(exkl. moms)
307,45 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- 205 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | 49,19 kr | 245,95 kr |
| 10 - 20 | 44,756 kr | 223,78 kr |
| 25 - 45 | 41,82 kr | 209,10 kr |
| 50 - 120 | 38,864 kr | 194,32 kr |
| 125 + | 35,908 kr | 179,54 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 217-2506
- Tillv. art.nr:
- IPB65R095C7ATMA2
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 24A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 650V | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Serie | CoolMOS | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 95mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 51nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 129W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20 V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.9V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 4.57mm | |
| Bredd | 9.45 mm | |
| Längd | 10.31mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 24A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 650V | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Serie CoolMOS | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 95mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 51nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 129W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20 V | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.9V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 4.57mm | ||
Bredd 9.45 mm | ||
Längd 10.31mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon CoolMOS is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the super junction(SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. CoolMOS™ C7 series combines thee experience of the leading SJ MOSFET supplier with high class innovation. The product portfolio provides all benefits off a switching super junction MOSFETs offering better efficiency, reduced gate charge, easy implementation and outstanding reliability.
Increased MOSFET dv/dt ruggedness
Better efficiency due to best in class FOMRDS(on)*Eoss and RDS(on)*Qg
Best in class RDS(on)/package
Easy to use/drive
Pb-free plating, halogen free mold compound
Qualified for industrial grade applications according to JEDEC(J-STD20 andJESD22)
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal 24 A 650 V Förbättring TO-263, CoolMOS
- Infineon Typ N Kanal 31 A 650 V Förbättring TO-263, CoolMOS
- Infineon Typ N Kanal 31.2 A 650 V Förbättring TO-263, CoolMOS
- Infineon Typ N Kanal 57.2 A 650 V Förbättring TO-263, CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal 11.4 A 600 V Förbättring TO-263, CoolMOS
- Infineon Typ N Kanal 37 A 600 V Förbättring TO-263, CoolMOS
- Infineon Typ N Kanal 14 A 650 V Förbättring TO-247, CoolMOS
- Infineon Typ N Kanal 12 A 650 V Förbättring TO-252, CoolMOS