Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 9.9 A 600 V P, 3 Ben, TO-220, CoolMOS

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 förpackning med 20 enheter)*

187,54 kr

(exkl. moms)

234,42 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 960 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
20 +9,377 kr187,54 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
217-2497
Tillv. art.nr:
IPAN60R650CEXKSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

9.9A

Maximal källspänning för dränering Vds

600V

Serie

CoolMOS

Kapseltyp

TO-220

Typ av fäste

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

650mΩ

Kanalläge

P

Maximal effektförlust Pd

82W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

20.5nC

Framåtriktad spänning Vf

0.9V

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal arbetstemperatur

150°C

Längd

16.1mm

Höjd

29.87mm

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

The Infineon CoolMOS™ CE is suitable for hard and soft switching applications and as modern superjunction, it delivers low conduction and switching losses improving efficiency and ultimately reduces power consumption. 600V, 650V and 700V CoolMOS™ CE combine the optimal R DS(on) and package offering suitable in low power chargers for mobile phones and tablets.

Narrow margins between typical and max R DS(on)Reduced energy stored in output capacitance (E oss)

Good body diode ruggedness and reduced reverse recovery charge (Q rr)

Optimized integrated R g

Relaterade länkar