Taiwan Semiconductor Typ N Kanal, MOSFET, 35 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PDFN56, TSM025
- RS-artikelnummer:
- 216-9704
- Tillv. art.nr:
- TSM220NB06LCR
- Tillverkare / varumärke:
- Taiwan Semiconductor
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 25 enheter)*
312,70 kr
(exkl. moms)
390,875 kr
(inkl. moms)
Lagerinformation är för närvarande otillgänglig - kom tillbaka senare
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | 12,508 kr | 312,70 kr |
| 50 - 75 | 12,275 kr | 306,88 kr |
| 100 - 225 | 11,267 kr | 281,68 kr |
| 250 - 975 | 11,057 kr | 276,43 kr |
| 1000 + | 10,268 kr | 256,70 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 216-9704
- Tillv. art.nr:
- TSM220NB06LCR
- Tillverkare / varumärke:
- Taiwan Semiconductor
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Taiwan Semiconductor | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 35A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | PDFN56 | |
| Serie | TSM025 | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 22mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 23nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 68W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20 V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Längd | 6.2mm | |
| Höjd | 1.1mm | |
| Bredd | 4.2 mm | |
| Standarder/godkännanden | IEC 61249-2-21, RoHS, WEEE | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Taiwan Semiconductor | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 35A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp PDFN56 | ||
Serie TSM025 | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 22mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 23nC | ||
Maximal effektförlust Pd 68W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20 V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Längd 6.2mm | ||
Höjd 1.1mm | ||
Bredd 4.2 mm | ||
Standarder/godkännanden IEC 61249-2-21, RoHS, WEEE | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Taiwan semiconductor single N channel power MOSFET transistors, stands for ’Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors’. MOSFETs are transistor devices which are controlled by a capacitor. The "Field-Effect" means that they are controlled by voltage. The aim of a MOSFET is to control the flow of the current passing through from the source to the drain terminals.
Low RDS(ON) to minimize conductive losses Low gate charge for fast power switching 100% UIS and Rg tested