Taiwan Semiconductor TSM025 Type N-Channel MOSFET, 51 A, 40 V Enhancement, 8-Pin PDFN56 TSM110NB04LCR

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 25 enheter)*

312,70 kr

(exkl. moms)

390,875 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • 4 625 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
25 - 2512,508 kr312,70 kr
50 - 7512,275 kr306,88 kr
100 - 22511,267 kr281,68 kr
250 - 97511,057 kr276,43 kr
1000 +10,268 kr256,70 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
216-9685
Tillv. art.nr:
TSM110NB04LCR
Tillverkare / varumärke:
Taiwan Semiconductor
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Taiwan Semiconductor

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

51A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Package Type

PDFN56

Series

TSM025

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

11mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

23nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

68W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

1V

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

6.2mm

Width

5.2 mm

Height

1.1mm

Standards/Approvals

RoHS/WEEE

Automotive Standard

No

The Taiwan semiconductor single N channel power MOSFET transistors, stands for ’Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors’. MOSFETs are transistor devices which are controlled by a capacitor. The "Field-Effect" means that they are controlled by voltage. The aim of a MOSFET is to control the flow of the current passing through from the source to the drain terminals.

Low RDS(ON) to minimize conductive losses Low gate charge for fast power switching 100% UIS and Rg tested

relaterade länkar