Taiwan Semiconductor TSM025 Type N-Channel MOSFET, 124 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PDFN56 TSM036N03PQ56

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 25 enheter)*

381,475 kr

(exkl. moms)

476,85 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • 4 975 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
25 - 2515,259 kr381,48 kr
50 - 7514,954 kr373,85 kr
100 - 22513,736 kr343,40 kr
250 - 97513,462 kr336,55 kr
1000 +12,468 kr311,70 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
216-9657
Tillv. art.nr:
TSM036N03PQ56
Tillverkare / varumärke:
Taiwan Semiconductor
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Taiwan Semiconductor

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

124A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Series

TSM025

Package Type

PDFN56

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

3.6mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

50nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

83W

Forward Voltage Vf

1V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

IEC 61249-2-21, WEEE 2002/96/EC, RoHS 2011/65/EU

Length

6mm

Height

1.05mm

Width

3.78 mm

Automotive Standard

No

The Taiwan semiconductor single N channel power MOSFET transistors, stands for ’Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors’. MOSFETs are transistor devices which are controlled by a capacitor. The "Field-Effect" means that they are controlled by voltage. The aim of a MOSFET is to control the flow of the current passing through from the source to the drain terminals.

Low RDS(ON) to minimize conductive losses Low gate charge for fast power switching 100% UIS and Rg tested

relaterade länkar