Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 38 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS CFD7
- RS-artikelnummer:
- 215-2564
- Tillv. art.nr:
- IPW60R055CFD7XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 2 enheter)*
155,79 kr
(exkl. moms)
194,738 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 2 enhet(er) är redo att levereras
- Dessutom levereras 240 enhet(er) från den 30 april 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 77,895 kr | 155,79 kr |
| 10 - 18 | 66,975 kr | 133,95 kr |
| 20 - 48 | 62,27 kr | 124,54 kr |
| 50 - 98 | 58,41 kr | 116,82 kr |
| 100 + | 53,76 kr | 107,52 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 215-2564
- Tillv. art.nr:
- IPW60R055CFD7XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 38A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 600V | |
| Kapseltyp | TO-247 | |
| Serie | CoolMOS CFD7 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 55mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 79nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 178W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 38A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 600V | ||
Kapseltyp TO-247 | ||
Serie CoolMOS CFD7 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 55mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 79nC | ||
Maximal effektförlust Pd 178W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon 600V Cool MOS™ CFD7 is Infineons latest high voltage super junction MOSFET technology with integrated fast body diode, completing the Cool MOS™ 7 series. Cool MOS™ CFD7 comes with reduced gate charge (Qg), improved turn-off behaviour and a reverse recovery charge (Qrr) of up to 69% lower compared to the competition, as well as the lowest reverse recovery time (trr) in the market.
Ultra-fast body diode
Best-in-class reverse recovery charge (Qrr)
Improved reverse diode dv/dt and dif/dt ruggedness
Lowest FOM RDS(on) x Qg and Eoss
Best-in-class RDS(on)/package combinations
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal 38 A 600 V Förbättring TO-247, CoolMOS CFD7
- Infineon Typ N Kanal 18 A 600 V Förbättring TO-247, CoolMOS CFD7
- Infineon Typ N Kanal 31 A 650 V Förbättring TO-247, CoolMOS CFD7
- Infineon Typ N Kanal 50 A 600 V Förbättring TO-247, CoolMOS CFD7
- Infineon Typ N Kanal 31 A 600 V TO-247, 600V CoolMOS CFD7
- Infineon Typ N Kanal 63 A 600 V TO-247, 600V CoolMOS CFD7
- Infineon Typ N Kanal 38 A 650 V Förbättring TO-247, CoolMOS C6
- Infineon Typ N Kanal 16 A 600 V Förbättring VSON, CoolMOS CFD7
