Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 6.5 A 700 V Förbättring, 3 Ben, IPAK, CoolMOS P7

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 25 enheter)*

149,40 kr

(exkl. moms)

186,75 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 22 december 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
25 - 1005,976 kr149,40 kr
125 - 2255,681 kr142,03 kr
250 - 6005,439 kr135,98 kr
625 - 12255,197 kr129,93 kr
1250 +4,843 kr121,08 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
215-2554
Tillv. art.nr:
IPSA70R750P7SAKMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

6.5A

Maximal källspänning för dränering Vds

700V

Serie

CoolMOS P7

Kapseltyp

IPAK

Fästetyp

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

750mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

34.7W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

8.3nC

Framåtriktad spänning Vf

0.9V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

The Infineon 700V Cool MOS™ P7 super junction MOSFET series addresses the low power SMPS market, such as mobile phone chargers or notebook adapters by offering fundamental performance gains compared to super junction technologies used today. The technology meets highest efficiency standards and supports high power density, enabling customers going towards very slim designs. The latest CoolMOS™P7 is an optimized platform tailored to target cost sensitive applications in consumer markets such as charger, adapter, lighting, TV, etc.

Extremely low losses due to very low FOMRDS(on)*Qg and RDS(on)*Eoss

Excellent thermal behaviour

Integrated ESD protection diode

Low switching losses (Eoss)