Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 1.9 A 800 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, CoolMOS

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 förpackning med 25 enheter)*

128,125 kr

(exkl. moms)

160,15 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Sista RS lager
  • Slutlig(a) 2 825 enhet(er), redo att levereras
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
25 +5,125 kr128,13 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
215-2532
Tillv. art.nr:
IPN80R3K3P7ATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

1.9A

Maximal källspänning för dränering Vds

800V

Kapseltyp

SOT-223

Serie

CoolMOS

Fästetyp

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

3.3Ω

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

5.8nC

Maximal effektförlust Pd

6.1W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

0.9V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

The Infineon 800V Cool MOS™ P7 super junction MOSFET series is a perfect fit for low power SMPS applications by fully addressing market needs in performance, ease-of-use and price/performance ratio. It mainly focuses on fly back applications including adapter and charger, LED driver, audio SMPS, AUX and industrial power. This new product family offers up to 0.6% efficiency gain and 2°C to 8°C lower MOSFET temperature compared to its predecessor as well as to competitor parts tested in typical fly back applications. It also enables higher power density designs through lower switching losses and better DPAK RDS(on) products.

Integrated Zener diode ESD protection up to Class 2 (HBM)

Best-in-class quality and reliability

Fully optimized portfolio

Relaterade länkar