Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 6 A 700 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, 700V CoolMOS P7

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 50 enheter)*

226,95 kr

(exkl. moms)

283,70 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Sista RS lager
  • Slutlig(a) 6 000 enhet(er), redo att levereras
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
50 - 504,539 kr226,95 kr
100 - 2003,359 kr167,95 kr
250 - 4503,132 kr156,60 kr
500 - 12002,95 kr147,50 kr
1250 +2,723 kr136,15 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
215-2528
Tillv. art.nr:
IPN70R900P7SATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

6A

Maximal källspänning för dränering Vds

700V

Kapseltyp

SOT-223

Serie

700V CoolMOS P7

Fästetyp

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

900mΩ

Kanalläge

Förbättring

Framåtriktad spänning Vf

0.9V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Maximal effektförlust Pd

6.5W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

6.8nC

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

The Infineon 700V Cool MOS™ P7 super junction MOSFET series addresses the low power SMPS market, such as mobile phone chargers or notebook adapters by offering fundamental performance gains compared to super junction technologies used today. The technology meets highest efficiency standards and supports high power density, enabling customers going towards very slim designs. The latest CoolMOS™P7 is an optimized platform tailored to target cost sensitive applications in consumer markets such as charger, adapter, lighting, TV, etc.

Extremely low losses due to very low FOMRDS(on)*Qg and RDS(on)*Eoss

Excellent thermal behaviour

Integrated ESD protection diode

Low switching losses (Eoss)