Infineon OptiMOS-T2 Type N-Channel MOSFET, 25 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 rulle med 2500 enheter)*

11 507,50 kr

(exkl. moms)

14 385,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 5 000 enhet(er) från den 29 december 2025
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
2500 - 25004,603 kr11 507,50 kr
5000 +4,373 kr10 932,50 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
215-2503
Tillv. art.nr:
IPD25N06S4L30ATMA2
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

25A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

TO-252

Series

OptiMOS-T2

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

300mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

29W

Forward Voltage Vf

1.3V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

16.3nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon OptiMOS®-T2 Power-Transistor has 60V maximum drain source voltage, N-Ch, Automotive MOSFET, with DPAK(TO-252) package type.

N-channel - Enhancement mode

AEC Q101 qualified

MSL1 up to 260°C peak reflow

175°C operating temperature

Green Product (RoHS compliant)

100% Avalanche tested

relaterade länkar