Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 11 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, 800V CoolMOS P7

Antal (1 förpackning med 10 enheter)*

144,08 kr

(exkl. moms)

180,10 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 380 enhet(er) från den 16 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
10 +14,408 kr144,08 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
215-2494
Tillv. art.nr:
IPAN80R450P7XKSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

11A

Maximal källspänning för dränering Vds

800V

Kapseltyp

TO-220

Serie

800V CoolMOS P7

Fästetyp

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

450mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

17.9W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

24nC

Framåtriktad spänning Vf

0.9V

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

The Infineon 800V Cool MOS™ P7 super junction MOSFET series is a perfect fit for low power SMPS applications by fully addressing market needs in performance, ease-of-use and price/performance ratio. It mainly focuses on fly back applications including adapter and charger, LED driver, audio SMPS, AUX and industrial power. This new product family offers up to 0.6% efficiency gain and 2°C to 8°C lower MOSFET temperature compared to its predecessor as well as to competitor parts tested in typical fly back applications. It also enables higher power density designs through lower switching losses and better DPAK RDS(on) products.

Integrated Zener diode ESD protection up to Class 2 (HBM)

Best-in-class quality and reliability

Fully optimized portfolio