Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 6 A 700 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, 700V CoolMOS P7

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 20 enheter)*

158,70 kr

(exkl. moms)

198,38 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 80 enhet(er) från den 17 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
20 - 807,935 kr158,70 kr
100 - 1806,507 kr130,14 kr
200 - 4806,11 kr122,20 kr
500 - 9805,639 kr112,78 kr
1000 +5,236 kr104,72 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
215-2492
Tillv. art.nr:
IPAN70R900P7SXKSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

6A

Maximal källspänning för dränering Vds

700V

Kapseltyp

TO-220

Serie

700V CoolMOS P7

Fästetyp

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

900mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

17.9W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

6.8nC

Framåtriktad spänning Vf

0.9V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

The Infineon 700V Cool MOS™ P7 super junction MOSFET series addresses the low power SMPS market, such as mobile phone chargers or notebook adapters by offering fundamental performance gains compared to super junction technologies used today. The technology meets highest efficiency standards and supports high power density, enabling customers going towards very slim designs. The latest CoolMOS™P7 is an optimized platform tailored to target cost sensitive applications in consumer markets such as charger, adapter, lighting, TV, etc.

Extremely low losses due to very low FOMRDS(on)*Qg and RDS(on)*Eoss

Excellent thermal behaviour

Integrated ESD protection diode

Low switching losses (Eoss)