Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 8.7 A 700 V Förbättring, 3 Ben, TO-251, CoolMOS CE
- RS-artikelnummer:
- 214-9111
- Tillv. art.nr:
- IPSA70R950CEAKMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 rör med 75 enheter)*
232,95 kr
(exkl. moms)
291,15 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 18 mars 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 75 - 75 | 3,106 kr | 232,95 kr |
| 150 - 300 | 2,949 kr | 221,18 kr |
| 375 - 675 | 2,825 kr | 211,88 kr |
| 750 - 1800 | 2,743 kr | 205,73 kr |
| 1875 + | 2,676 kr | 200,70 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 214-9111
- Tillv. art.nr:
- IPSA70R950CEAKMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 8.7A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 700V | |
| Serie | CoolMOS CE | |
| Kapseltyp | TO-251 | |
| Fästetyp | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 950mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 15.3nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 94W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20 V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.9V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 6.1mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 2.38 mm | |
| Längd | 6.6mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 8.7A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 700V | ||
Serie CoolMOS CE | ||
Kapseltyp TO-251 | ||
Fästetyp Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 950mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 15.3nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal effektförlust Pd 94W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20 V | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.9V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 6.1mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 2.38 mm | ||
Längd 6.6mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon CoolMOS is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the super junction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. CoolMOS CE is a price-performance optimized platform enabling to target cost sensitive applications in Consumer and Lighting markets by still meeting highest efficiency standards. The new series provides all benefits of a fast switching Super junction MOSFET while not sacrificing ease of use and offering the best cost down performance ratio available on the market.
Easy to use/drive
Very high commutation ruggedness
Qualified for standard grade applications