Infineon CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET, 6 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-251 IPS80R900P7AKMA1

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 15 enheter)*

168,765 kr

(exkl. moms)

210,96 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 1 455 enhet(er) från den 29 december 2025
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
15 - 6011,251 kr168,77 kr
75 - 13510,692 kr160,38 kr
150 - 36010,237 kr153,56 kr
375 - 7359,796 kr146,94 kr
750 +9,109 kr136,64 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
214-9110
Tillv. art.nr:
IPS80R900P7AKMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

6A

Maximum Drain Source Voltage Vds

800V

Package Type

TO-251

Series

CoolMOS P7

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

900mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

15nC

Maximum Power Dissipation Pd

45W

Forward Voltage Vf

0.9V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Width

2.35 mm

Height

6.22mm

Length

6.7mm

Automotive Standard

No

The Infineon latest 800V CoolMOS P7 series sets a new benchmark in 800V super junction technologies and combines best-in-class performance with state of the art ease-of-use, resulting from Infineon’s over 18 years pioneering super junction technology innovation. These are Easy to drive and to parallel, enabling higher power density designs, BOM savings and lower assembly costs.

Fully optimized portfolio

Integrated Zener Diode ESD protection

relaterade länkar