Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 7 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, CoolMOS P7
- RS-artikelnummer:
- 214-9053
- Tillv. art.nr:
- IPD80R750P7ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 15 enheter)*
179,985 kr
(exkl. moms)
224,985 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- 2 415 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 15 - 60 | 11,999 kr | 179,99 kr |
| 75 - 135 | 11,394 kr | 170,91 kr |
| 150 - 360 | 11,155 kr | 167,33 kr |
| 375 - 735 | 10,439 kr | 156,59 kr |
| 750 + | 9,721 kr | 145,82 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 214-9053
- Tillv. art.nr:
- IPD80R750P7ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 7A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 800V | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Serie | CoolMOS P7 | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 750mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20 V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 17nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 51W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.9V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 2.41mm | |
| Bredd | 6.22 mm | |
| Längd | 6.73mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 7A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 800V | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Serie CoolMOS P7 | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 750mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20 V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 17nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 51W | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.9V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 2.41mm | ||
Bredd 6.22 mm | ||
Längd 6.73mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon latest 800V CoolMOS P7 series sets a new benchmark in 800V super junction technologies and combines best-in-class performance with state of the art ease-of-use, resulting from Infineon’s over 18 years pioneering super junction technology innovation. These are easy to drive and to parallel, enabling higher power density designs, BOM savings and lower assembly costs. These are recommended for hard and soft switching fly back topologies for LED Lighting, low power Chargers and Adapters, Audio, AUX power and Industrial power.
It comes with Fully optimized portfolio
Integrated Zener Diode ESD protection