Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 1.9 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, CoolMOS P7

Antal (1 rulle med 2500 enheter)*

6 155,00 kr

(exkl. moms)

7 695,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 5 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
2500 +2,462 kr6 155,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
214-9050
Tillv. art.nr:
IPD80R3K3P7ATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

1.9A

Maximal källspänning för dränering Vds

800V

Serie

CoolMOS P7

Kapseltyp

TO-252

Fästetyp

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

3.3Ω

Kanalläge

Förbättring

Framåtriktad spänning Vf

0.9V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

5.8nC

Maximal effektförlust Pd

18W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Bredd

6.22 mm

Höjd

2.41mm

Längd

6.73mm

Fordonsstandard

Nej

The Infineon latest 800V CoolMOS P7 series sets a new benchmark in 800V super junction technologies and combines best-in-class performance with state of the art ease-of-use, resulting from Infineon’s over 18 years pioneering super junction technology innovation. These are easy to drive and to parallel, enabling higher power density designs, BOM savings and lower assembly costs. These are recommended for hard and soft switching fly back topologies for LED Lighting, low power Chargers and Adapters, Audio, AUX power and Industrial power.

It comes with Fully optimized portfolio

Integrated Zener Diode ESD protection