Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 176 A 25 V Förbättring, 8 Ben, TSDSON, OptiMOS 5
- RS-artikelnummer:
- 214-8983
- Tillv. art.nr:
- BSZ014NE2LS5IFATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 rulle med 5000 enheter)*
34 140,00 kr
(exkl. moms)
42 675,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 19 mars 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 5000 + | 6,828 kr | 34 140,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 214-8983
- Tillv. art.nr:
- BSZ014NE2LS5IFATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 176A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 25V | |
| Serie | OptiMOS 5 | |
| Kapseltyp | TSDSON | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1.45mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.6V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 16 V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 11nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 69W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 1.2mm | |
| Bredd | 6.1 mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 5.35mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 176A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 25V | ||
Serie OptiMOS 5 | ||
Kapseltyp TSDSON | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1.45mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.6V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 16 V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 11nC | ||
Maximal effektförlust Pd 69W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 1.2mm | ||
Bredd 6.1 mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 5.35mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon range offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and Strong IRFET families. With the OptiMOS-5 25V and 30V product family, Infineon offers benchmark solutions by enabling highest power density and energy efficiency, both in standby and full operation. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Monolithic integrated Schottky like diode
100% avalanche tested