Infineon SIPMOS Type N-Channel MOSFET, 200 mA, 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

1 704,00 kr

(exkl. moms)

2 130,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 3 000 enhet(er) från den 29 december 2025
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
3000 - 30000,568 kr1 704,00 kr
6000 - 120000,539 kr1 617,00 kr
15000 +0,517 kr1 551,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
214-4475
Tillv. art.nr:
SN7002NH6327XTSA2
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

200mA

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Series

SIPMOS

Package Type

SOT-23

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

5Ω

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

1.5nC

Maximum Power Dissipation Pd

0.36W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

60 V

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

IEC61249-2-21, AEC Q101

Automotive Standard

No

This Infineon SIPMOS Small signal MOSFETis ideally suited for space-constrained automotive and/or non-automotive applications. They can be found in almost all applications e.g. battery protection, battery charging, LED lighting and so on.

It is Halogen-free according to IEC61249-2-21

relaterade länkar