Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 320 A 40 V, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 214-4462
- Tillv. art.nr:
- IRFS7434TRLPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 förpackning med 10 enheter)*
144,08 kr
(exkl. moms)
180,10 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- 690 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 + | 14,408 kr | 144,08 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 214-4462
- Tillv. art.nr:
- IRFS7434TRLPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 320A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1.6mΩ | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20 V | |
| Maximal effektförlust Pd | 294W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 324nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 320A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1.6mΩ | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20 V | ||
Maximal effektförlust Pd 294W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 324nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
This Infineon HEXFET Power MOSFET is optimized for broadest availability from distribution partners. It has softer body-diode compared to previous silicon generation
It is capable of being wave soldered