Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 88 A, 100 V, 3-Pin TO-263 IRFS4410TRLPBF
- RS-artikelnummer:
- 214-4459
- Tillv. art.nr:
- IRFS4410TRLPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 5 enheter)*
226,46 kr
(exkl. moms)
283,075 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 40 enhet(er) från den 12 januari 2026
- Dessutom levereras 3 615 enhet(er) från den 19 januari 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 45,292 kr | 226,46 kr |
| 25 - 45 | 40,768 kr | 203,84 kr |
| 50 - 120 | 38,036 kr | 190,18 kr |
| 125 - 245 | 35,324 kr | 176,62 kr |
| 250 + | 33,062 kr | 165,31 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 214-4459
- Tillv. art.nr:
- IRFS4410TRLPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 88A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Package Type | TO-263 | |
| Series | HEXFET | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 10mΩ | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 200W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 180nC | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 88A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Package Type TO-263 | ||
Series HEXFET | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 10mΩ | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 200W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 180nC | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
This Infineon HEXFET Power MOSFET has improved Gate, Avalanche and Dynamic dv/dt Ruggedness. It is suitable for high efficiency synchronous rectification in SMPS.
It is Halogen-free according to IEC61249-2-21
relaterade länkar
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V, 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V PQFN
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V PQFN IRLH5030TRPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V TO-263
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V TO-263
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V TO-263 IRL530NSTRLPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V TO-263 IRLS4030TRLPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 200 V TO-263